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NTR4171P
TYPICAL CHARACTERISTICS
1100
1000
900
800
700
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
12
10
8.0
? V DS
Q T
? V GS
16
14
12
10
600
500
400
300 C oss
200
100 C rss
0
0
5.0
10
15
20
25
30
6.0
4.0
2.0
0
Q GS
0
2.0
Q GD
4.0
6.0
8.0
10
V DS = ? 15 V
T J = 25 ° C
I D = ? 3.5 A
12 14
8.0
6.0
4.0
2.0
0
16
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
100
10
V GS = ? 10 V
V DD = ? 15 V
I D = ? 3.5 A
t d(off)
t f
t r
t d(on)
10
1.0
T J = 125 ° C
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
1.0
1.0
10
100
0.1
0.3 0.4
0.5
0.6
0.7
T J = ? 55 ° C
0.8 0.9
1.0
1.1
1.2
1.5
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
30
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
I D = ? 250 m A
25
20
15
10
5.0
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
T J , TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
4
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
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